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參數資料
型號: PDTC123JK
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝: PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
文件頁數: 2/14頁
文件大小: 92K
代理商: PDTC123JK
2004 Aug 13
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistors;
R1 = 2.2 k
, R2 = 47 k
PDTC123J series
FEATURES
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduction of component count
Reduced pick and place costs.
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
Inverter and interface circuits
Circuit driver.
QUICK REFERENCE DATA
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor (see “Simplified outline,
symbol and pinning” for package details).
SYMBOL
PARAMETER
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
collector-emitter
voltage
output current (DC)
bias resistor
bias resistor
50
V
I
O
R1
R2
2.2
47
100
mA
k
k
PRODUCT OVERVIEW
Note
1.
* = p: Made in Hong Kong.
* = t: Made in Malaysia.
* = W: Made in China.
TYPE NUMBER
PACKAGE
MARKING CODE
PNP COMPLEMENT
PHILIPS
EIAJ
PDTC123JE
PDTC123JEF
PDTC123JK
PDTC123JM
PDTC123JS
PDTC123JT
PDTC123JU
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 (TO-92)
SOT23
SOT323
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
28
28
49
DW
PDTA123JE
PDTA123JEF
PDTA123JK
PDTA123JM
PDTA123JS
PDTA123JT
PDTA123JU
TC123J
*25
(1)
*49
(1)
相關PDF資料
PDF描述
PDTC123JS NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOHM, R2 = 47 kOHM
PDTC124EK NPN resistor-equipped transistor
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PDTC143T NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open
相關代理商/技術參數
參數描述
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PDTC123JK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTC123JM 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ
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PDTC123JM,315 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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