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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PDTC124EK |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-59A, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/8頁(yè) |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | PDTC124EK |
1998 May 08
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN resistor-equipped transistor
PDTC124EK
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2
(typ. 22 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components
and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space
reduction in interface and driver
circuits
Inverter circuit configurations
without use of external resistors.
DESCRIPTION
NPN resistor-equipped transistor in
an SC-59 plastic package.
PNP complement: PDTA124EK.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SC-59) and symbol.
MAM284
Top view
2
1
3
R1
R2
3
2
1
Fig.2
Equivalent inverter
symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
PDTC124EK
06
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CEO
I
O
I
CM
P
tot
h
FE
R1
collector-emitter voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
input resistor
open base
60
15.4
22
50
100
100
250
28.6
V
mA
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
= 5 mA; V
CE
= 5 V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
R1
R2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| PDTC143TEF | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open |
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參數(shù)描述 |
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