- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382389 > PDTC143XEF (NXP SEMICONDUCTORS) NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 10 kohm PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PDTC143XEF |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 10 kohm |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | PDTC143XEF |
PDTC143X_SER_9
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 09 — 26 July 2005
4 of 12
Philips Semiconductors
PDTC143X series
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k
, R2 = 10 k
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Reflow soldering is the only recommended soldering method.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB with 60
μ
m copper strip line, standard footprint.
Table 6:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
V
I
input voltage
positive
negative
I
O
output current
I
CM
peak collector current
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
Max
50
50
7
Unit
V
V
V
-
-
-
-
+20
7
100
100
V
V
mA
mA
single pulse;
t
p
≤
1 ms
T
amb
≤
25
°
C
P
tot
total power dissipation
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
storage temperature
junction temperature
ambient temperature
[1]
-
150
250
250
250
500
250
200
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°
C
°
C
°
C
[1] [2]
-
[1]
-
[2] [3]
-
[1]
-
[1]
-
[1]
-
T
stg
T
j
T
amb
65
-
65
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTC143XK | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 10 kohm |
| PDTC143X | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 10 kohm |
| PDTC143XS | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 10 kohm |
| PDTC143ZEF | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm |
| PDTC143Z | NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDTC143XEF,115 | 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-490 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| PDTC143XK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 10 kW |
| PDTC143XK T/R | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC143XK,115 | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTC143XM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 10 kW |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。