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參數(shù)資料
| 型號： | PDTD123E |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW |
| 中文描述： | NPN配電阻型 500毫安，50伏 晶體管；R1 = 2.2 千歐姆, R2 = 2.2 千歐姆 |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | PDTD123E |
1.
Product profile
1.1 General description
500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.
[1]
Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see
Section 2
).
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
PDTD123E series
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;
R1 = 2.2 k
, R2 = 2.2 k
Rev. 01 — 8 April 2005
Product data sheet
Table 1:
Type number
Product overview
Package
Philips
SOT346
SOT54
SOT23
PNP complement
JEITA
SC-59A
SC-43A
-
JEDEC
TO-236
TO-92
TO-236AB
PDTD123EK
PDTD123ES
[1]
PDTD123ET
PDTB123EK
PDTB123ES
PDTB123ET
I
Built-in bias resistors
I
Simplifies circuit design
I
500 mA output current capability
I
Reduces component count
I
Reduces pick and place costs
I
±
10 % resistor ratio tolerance
I
Digital application in automotive and
industrial segments
I
Controlling IC inputs
I
Cost saving alternative for BC817 series
in digital applications
I
Switching loads
Table 2:
Symbol
V
CEO
I
O
R1
R2/R1
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
output current (DC)
bias resistor 1 (input)
bias resistor ratio
Conditions
open base
Min
-
-
1.54
0.9
Typ
-
-
2.2
1.0
Max
50
500
2.86
1.1
Unit
V
mA
k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTD123EK | NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW |
| PDTD123ES | NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW |
| PDU-15F-0.5 | Programmable Delay Line |
| PDU-1016-40 | Programmable Delay Line |
| PDU-1016-45 | Programmable Delay Line |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PDTD123EK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
| PDTD123EK T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTD123EK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTD123ES | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW |
| PDTD123ES,126 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 500 MA RET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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