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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PESDXS2UQ |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 靜電保護(hù)器 |
| 英文描述： | Double ESD protection diodes in SOT663 package |
| 中文描述： | sot663封裝的雙靜電保護(hù)二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/13頁(yè) |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | PESDXS2UQ |
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2004 Apr 27
8
Philips Semiconductors
Product specification
Double ESD protection diodes
in SOT663 package
PESDxS2UQ series
001aaa729
1
10
10
1
T
j
(
°
C)
100
150
100
0
50
50
I
R
I
R(25
°
C)
(1)
(2)
Fig.8
Relative variation of reverse leakage
current as a function of junction
temperature; typical values.
I
R
is less than 15 nA at 150
°
C for:
PESD12VS2UQ; V
RWM
= 12 V.
PESD15VS2UQ; V
RWM
= 15 V.
PESD24VS2UQ; V
RWM
= 24 V.
(1) PESD3V3S2UQ; V
RWM
= 3.3 V.
(2) PESD5V0S2UQ; V
RWM
= 5 V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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