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參數資料
型號: PF08107BP
文件頁數: 1/44頁
文件大小: 217K
代理商: PF08107BP
PF08107B
MOS FET Power Amplifier Module
for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
ADE-208-787G (Z)
Rev.7
Dec. 2001
Application
Dual band amplifier for E-GSM (880 MHz to 915 MHz) and DCS1800 (1710 MHz to 1785 MHz).
For 3.5 V nominal operation
Features
2 in / 2 out dual band amplifier
Simple external circuit including output matching circuit
Simple power control
High gain 3stage amplifier : 0 dBm input Typ
Lead less thin & Small package : 8
×
13.75
×
1.6 mm Typ
High efficiency :
50 % Typ at 35.0 dBm for E-GSM
43 % Typ at 32.0 dBm for DCS1800
Pin Arrangement
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
G:
Pin
GSM
Vapc
Vdd1
Pout
GSM
Pout
DCS
Vdd2
Vctl
Pin
DCS
GND
RF-K-8
12
34
G
87
5
6
G
G
G
相關PDF資料
PDF描述
PF08109B-TB RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PF08114B
PF08122B
PF08123B
PF251 25Amp Fast Recover Rectifier 50 to 1000 Volts
相關代理商/技術參數
參數描述
PF08109B 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800 Dual Band Handy Phone
PF08109B-TB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier
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