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參數資料
| 型號： | PH1090-6S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 430MA I(C) | FO-41BVAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 70V的五（巴西）總裁| 430MA一（c）|佛41BVAR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | PH1090-6S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH1090-75S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3.1A I(C) | FO-41BVAR |
| PH1090-800S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 37A I(C) |
| PH1090-80L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5.2A I(C) | FO-91VAR |
| PH1090 | Avionics Pulsed Power Transistor175 Watts， 1030-1090MHz |
| PH1090-150S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 6.2A I(C) | FO-41BVAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH1090-700B | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH1090-75L | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH1090-75S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3.1A I(C) | FO-41BVAR |
| PH1090-800S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 37A I(C) |
| PH1090-80L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5.2A I(C) | FO-91VAR |
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