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參數資料
| 型號： | PH1214-30EL |
| 英文描述： | High Speed Comparator; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 雷達脈沖功率晶體管，30瓦 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | PH1214-30EL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH1214-3L | Radar Pulsed Power Transistor， 3W |
| PH1214-60 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 7A I(C) | FO-53 |
| PH1214-110M | Radar Pulsed Power Transistor - 110 Watts,1.20-1.40 GHz, 150ms Pulse, 10% Duty |
| PH1214-12M | Radar Pulsed Power Transistor - 12 Watts,1.20-1.40 GHz, 150 mS Pulse, 10% Duty |
| PH1214-220M | Radar Pulsed Power Transistor - 220 Watts,1.20-1.40 GHz, 150ms Pulse, 10% Duty |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH1214-3L | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 3W, 2ms Pulse, 20% Duty 1.2 - 1.4 GHz |
| PH1214-40M | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 70V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH1214-4M | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| PH1214-55EL | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 58V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
| PH1214-55EL_07 | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor 55W, 1.2-1.4 GHz, 1ms Pulse, 10% Duty |
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