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參數資料
型號: PH1214-4M
英文描述: Radar Pulsed Power Transistor, 4W, loops Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
中文描述: 雷達脈沖功率晶體管,4瓦,循環脈沖,10%的責任1月2日至一月四日吉赫
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 159K
代理商: PH1214-4M
相關PDF資料
PDF描述
PH1214-6M RADAR PULSED POWER TRANSISTOR, 6W, 100us PULSE, 10% DUTY
PHI214-6M Radar Pulsed Power Transistor, SW, looms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PH1214-IOOEL Radar Pulsed Power Transistor, lOOW, 2ms Pulse, 20% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PH1516-60 Wireless Bipolar Power Transistor
PH1516-100 Wireless Bipolar Power Transistor, 1 OOW 1450 - 1550 MHz
相關代理商/技術參數
參數描述
PH1214-55EL 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 58V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH1214-55EL_07 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor 55W, 1.2-1.4 GHz, 1ms Pulse, 10% Duty
PH1214-60 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 7A I(C) | FO-53
PH1214-6M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:- Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH1214-80M 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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