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參數資料
型號: PH2729-8.5M
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 1.8A I(C) | FO-91VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 65V的五(巴西)總裁| 1.8AI(丙)|佛91VAR
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代理商: PH2729-8.5M
相關PDF資料
PDF描述
PH2729-11OM Radar Pulsed Power Transistor, IlOW, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz
PH2729430M Radar Pulsed Power Transistor, 13OW, IOOps Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz
PH2731-20M Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 3.1 GHz
PH2731-5M Radar Pulsed Power Transistor, 5W, IOOps Pulse, 10% Duty
PH2731-75L TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 7A I(C) | FO-91VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
PH2729-8SM 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Radar Pulsed Power Transistor, 8.5W, loops Pulse, 10% Duty 2.7 - 2.9 GHz
PH2731-20M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH2731-5M 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
PH2731-75L 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
PH2731-80M 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | RFMOD
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