型號: | PH3135-5M |
英文描述: | Radar Pulsed Power Transistor, 5W, looms Pulse, 10% Duty 3.1 - 3.5 GHz |
中文描述: | 雷達脈沖功率晶體管,5W的織機脈沖,10%的稅3月1日至3月5號吉赫 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 153K |
代理商: | PH3135-5M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PH3135-5S | Radar Pulsed Power Transistor,5W,2ms Pulse, 10% Duty 3.1-3.5 GHz |
PH406466 | QUAD 10/100Base Supporting AutoMdix funtion Transformer SMT type |
PH502HC | SCHMITT-TRIGGER OUTPUT PHOTO IC |
PH502HR | Low Power, 8th Order Progressive Elliptic, Lowpass Filter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C |
PH502LC | Low Power, 8th Order Progressive Elliptic, Lowpass Filter; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: -40°C to +85°C |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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PH3135-5S | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
PH3135-65M | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
PH3135-80M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 63V V(BR)CEO | 8.5A I(C) | FO-91VAR |
PH3135-90S | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:TRANS GP BJT NPN 65V 2PIN HERMETIC METAL - Bulk 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT |
PH3-150-150-0.21-1A | 功能描述:IR HEAT SPREADER/EMITTER W/ADH RoHS:是 類別:風扇,熱管理 >> 熱敏 - 散熱器 系列:PH3 產品目錄繪圖:BDN12-3CB^A01 標準包裝:300 系列:BDN 類型:頂部安裝 冷卻式包裝:分類(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 固定方法:散熱帶,粘合劑(含) 形狀:方形,鰭片 長度:1.21"(30.73mm) 寬:1.210"(30.73mm) 直徑:- 機座外的高度(散熱片高度):0.355"(9.02mm) 溫升時的功耗:- 在強制氣流下的熱敏電阻:在 400 LFM 時為6.8°C/W 自然環境下的熱電阻:19.6°C/W 材質:鋁 材料表面處理:黑色陽極化處理 產品目錄頁面:2681 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:294-1099 |