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參數資料
| 型號： | PHB101NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 280K |
| 代理商： | PHB101NQ03LT |
PHB/PHD101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Rev. 02 — 25 February 2003
Product data
1.
Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHB101NQ03LT in SOT404 (D
2
-PAK)
PHD101NQ03LT in SOT428 (D-PAK).
2.
Features
I
Low gate charge
I
Low on-state resistance.
3.
Applications
I
Optimized as a control FET in DC to DC convertors
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 and SOT428 packages.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT404, SOT428 simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT404 (D
2
-PAK)
SOT428 (D-PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
mounting base,
connected to drain (d)
1
3
2
MBK116
mb
MBK091
Top view
1
3
mb
2
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHD108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHB101NQ04T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB101NQ04T,118 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB108NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET |
| PHB108NQ03LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB108NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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