欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: PHB112N06T
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述: 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數: 1/14頁
文件大小: 262K
代理商: PHB112N06T
PHP112N06T; PHB112N06T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Rev. 01 — 07 March 2001
Product specification
c
c
1.
Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS
1
technology.
Product availability:
PHP112N06T in SOT78 (TO-220AB)
PHB112N06T in SOT404 (D
2
-PAK).
2.
Features
I
Fast switching
I
Very low on-state resistance.
3.
Applications
I
General purpose switching
I
Switched mode power supplies.
4.
Pinning information
[1]
It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.
1.
TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.
Table 1:
Pin
Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT78 (TO-220AB)
SOT404 (D
2-
PAK)
2
drain (d)
[1]
3
source (s)
mb
mounting base;
connected to
drain (d)
MBK106
1 2
mb
3
1
3
2
MBK116
mb
s
d
g
MBB076
相關PDF資料
PDF描述
PHP112 Microprocessor Supervisory Circuit; Package: SO; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PHP11N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHP12N10E KPT 8C 8#16 PIN RECP
PHP12N50E Microprocessor Supervisory Circuit
PHP160NQ08T CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
相關代理商/技術參數
參數描述
PHB112N06T,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB119NQ06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T /T3 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB119NQ06T,118 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB11N03LT 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
主站蜘蛛池模板: 自治县| 淅川县| 长沙县| 平南县| 桐乡市| 德钦县| 澳门| 桃园县| 太仓市| 宁蒗| 岑巩县| 从化市| 神池县| 周至县| 上杭县| 上蔡县| 克什克腾旗| 于都县| 天气| 五河县| 镇巴县| 太和县| 普格县| 民和| 泗水县| 宣汉县| 康马县| 防城港市| 大同市| 界首市| 鸡西市| 牡丹江市| 诸暨市| 阿克| 田阳县| 泰来县| 晋中市| 连城县| 鹤山市| 离岛区| 栾川县|