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參數資料
型號: PHB130N03LT
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述: 75 A, 30 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, SOT-404, 3 PIN
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 63K
代理商: PHB130N03LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB130N03LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 75 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 75 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
9506-30
QG / nC
VGS / V
VDS / V = 6
24
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.5
1
1.5
2
0
20
40
60
80
100
9506-30
VSDS / V
IF / A
Tj / C = 175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
December 1997
6
Rev 1.200
相關PDF資料
PDF描述
PHB130N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHD14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHP14NQ20T TrenchMOS standard level FET
PHB152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET
相關代理商/技術參數
參數描述
PHB130N03LTT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404
PHB130N03T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB130N03TT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404
PHB13N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHB143NQ04T /T3 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM)FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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