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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB63NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/14頁(yè) |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | PHB63NQ03LT |
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Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD63NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 14 June 2002
7 of 14
9397 750 09822
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03ai29
0
0.8
1.6
2.4
3.2
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
max
03ai28
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
0.8
1.6
2.4
3.2
VGS(V)
typ
max
min
03ai89
10
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB65N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB64N03LT | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-263AB |
| PHB65N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB65N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
| PHB65N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB65N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
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