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參數資料
| 型號： | PHD18NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 18 A, 100 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 121K |
| 代理商： | PHD18NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP18NQ10T, PHB18NQ10T
PHD18NQ10T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.18. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
August 1999
9
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD22NQ20T | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD22NQ20T-01 | N-channel TrenchMOS?? standard level FET |
| PHD24N03 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHD3055E | PowerMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD18NQ10T,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans MOSFET P-CH 200V 21.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD20N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHD20N06T /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD20N06T,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD20N06T118 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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