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參數資料
| 型號： | PHD36N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 43.4 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | PHD36N03LT |
1.
Product profile
1.1 General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic
package using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
It is not possible to make a connection to pin 2 of the SOT428 package.
PHD/PHP36N03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev. 02 — 8 June 2006
Product data sheet
I
Logic level compatible
I
Low gate charge
I
DC-to-DC converters
I
Switched-mode power supplies
I
V
DS
≤
30 V
I
R
DSon
≤
17 m
I
I
D
≤
43.4 A
I
P
tot
≤
57.6 W
Table 1.
Pin
1
2
3
mb
Pinning
Description
gate (G)
drain (D)
source (S)
mounting base;
connected to drain
Simplified outline
Symbol
SOT428 (DPAK)
SOT78 (3-lead TO-220AB)
[1]
3
2
mb
1
1 2
mb
3
S
D
G
mbb076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP36N03LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHD5N20E | PowerMOS transistor |
| PHD83N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHI214-20EL | Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 2ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz |
| PHI214-25L | Radar Pulsed Power Transistor, 25W, 300ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD36N03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD36N03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD36N03LT/T3 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 43.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| PHD37N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| PHD37N06LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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