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參數資料
| 型號： | PHK4NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 4000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, MS-012, SOP-8 |
| 文件頁數： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | PHK4NQ20T |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003.
Printed in The Netherlands
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intellectual property rights.
Date of release: 20 January 2003
Document order number: 9397 750 10773
Contents
Philips Semiconductors
PHK4NQ20T
TrenchMOS standard level FET
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
4.1
5
6
7
8
9
10
11
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHM21NQ15T | TrenchMOS standard level FET |
| PHM25NQ10T | TrenchMOS standard level FET |
| PHN1011 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHN1013 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN1015 | N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHK4NQ20T /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHK4NQ20T,518 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 4A Trans MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHK4NQ20T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| PHK5NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHK5NQ15T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 |
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