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參數(shù)資料
| 型號： | PHM1880-15 |
| 英文描述： | Wireless Power Module, 15W 1805-1880 MHz |
| 中文描述： | 無線功率模塊，安永1805年至1880年兆赫 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | PHM1880-15 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHM1990-15 | Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PHM960-16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | M:HL041HDXXX |
| PHN103S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO |
| PHN103T | 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: MSOP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PHN210T | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 27V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHM18NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
| PHM18NQ15T,518 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| PHM1990-15 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| PHM2 | 制造商:Panduit Corp 功能描述:HOSE ASSEMBLY |
| PHM20030DLX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM20030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
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