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參數資料
| 型號： | PHM21NQ15T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 22.2 A, 150 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件頁數： | 8/13頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | PHM21NQ15T |
Philips Semiconductors
PHM21NQ15T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2003
8 of 13
9397 750 11844
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 20 A; V
DD
= 30 V, 75 V, 120 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03al10
0
20
40
60
0
0.5
1
1.5
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
150
°
C
VGS = 0 V
03al12
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 20 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 30 V
75 V
120 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHM25NQ10T | TrenchMOS standard level FET |
| PHN1011 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHN1013 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN1015 | N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | KPT00E14-5PF42 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHM21NQ15T,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHM25NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
| PHM25NQ10T,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHM2825DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2825DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
| PHM2930DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2930DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
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