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參數資料
| 型號： | PHN1013 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | PHN1013 |
1997 Jun 20
5
Philips Semiconductors
Objective specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN1013
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
max.
A
1
A
2
A
3
b
p
c
D
(1)
E
(2)
(1)
e
H
E
L
L
p
Q
Z
y
w
v
θ
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
inches
1.75
0.25
0.10
1.45
1.25
0.25
0.49
0.36
0.25
0.19
5.0
4.8
4.0
3.8
1.27
6.2
5.8
1.05
0.7
0.6
0.7
0.3
8
0
o
o
0.25
0.1
0.25
DIMENSIONS (inch dimensions are derived from the original mm dimensions)
Notes
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
2. Plastic or metal protrusions of 0.25 mm maximum per side are not included.
1.0
0.4
SOT96-1
X
w
M
θ
A
A
1
A
2
b
p
D
H
E
L
p
L
Q
detail X
E
Z
e
c
v
M
A
(A )
3
A
4
5
pin 1 index
1
8
y
076E03S
MS-012AA
0.069
0.010
0.004
0.057
0.049
0.01
0.019
0.014
0.0100
0.0075
0.20
0.19
0.16
0.15
0.050
0.244
0.228
0.028
0.024
0.028
0.012
0.01
0.01
0.041
0.004
0.039
0.016
0
2.5
5 mm
scale
SO8: plastic small outline package; 8 leads; body width 3.9 mm
SOT96-1
95-02-04
97-05-22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN1015 | N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | KPT00E14-5PF42 |
| PHN103 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN110 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN205 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHN1013T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
| PHN1015 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| PHN1018/T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET SOT-96 |
| PHN103 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode MOS transistor |
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