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參數資料
型號: PHN1015
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: N-channel TrenchMOS transistor Logic level
中文描述: 10 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝: PLASTIC, SO-8
文件頁數: 3/7頁
文件大小: 95K
代理商: PHN1015
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHN1015
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
a
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
a
); conditions: V
GS
5 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-a
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
.
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
.
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Normalised Power Derating, Ptot (%)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient temperature, Ta (C)
0.01
0.1
1
10
100
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
Pulse width, tp (s)
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
single pulse
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
D = tp/T
D
P
T
Normalised Current Derating, ID (%)
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient temperature, Ta (C)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Drain Current, ID (A)
2.2 V
2.4 V
Tj = 25 C
VGS = 10 V
2 V
2.6 V
4.5 V
2.8 V
3 V
5 V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
10
100
D1
Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)
D.C.
100 ms
10 ms
RDS(on) = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
0
5
10
15
25
30
35
40
45
50
Drai20
Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
VGS =4.5 V
10V
Tj = 25 C
2.8V
3 V
2.6 V
2.2 V
2.4 V
5 V
December 1999
3
Rev 1.300
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PDF描述
PHN1018 KPT00E14-5PF42
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