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參數資料
| 型號： | PHP108NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHP108NQ03LT |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD108NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 11 September 2002
7 of 14
9397 750 10159
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
max
typ
min
003aaa195
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
003aaa196
0
5
10
15
20
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
175
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB125N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB130N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP109 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP109T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO |
| PHP10N10E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP10N40 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP10N40E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
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