- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382392 > PHP20N06E (NXP SEMICONDUCTORS) PowerMOS transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHP20N06E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 22 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 4/15頁 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | PHP20N06E |
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
4 of 15
9397 750 07894
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to ambient
Conditions
vertical in still air; SOT78 package
mounted on printed circuit board;
minimum footprint; SOT404
package
Figure 4
Value
60
50
Unit
K/W
K/W
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
2.4
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
003aaa044
Single Pulse
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
10-1
1
10
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
δ
= 0.5
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP212L | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP212 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP21N06 | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP21N06T | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP20N06T | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T-127 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS?? transistor |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。