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參數資料
| 型號： | PHP212 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 4000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | PHP212 |
1997 Jun 18
8
Philips Semiconductors
Product specification
Dual P-channel enhancement mode
MOS transistor
PHP212
Fig.10 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(2) T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(3) T
amb
=
65
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
(A)
0
0.4
0.8
1.2
0
8
6
2
4
MGG356
VSD (V)
(1)
(2)
(3)
Fig.11 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage;
typical values.
handbook, halfpage
10
0
2
4
6
8
3
10
2
10
MGG357
RDSon
(m
)
VGS (V)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
.
(1) I
D
= 0.1 A.
(2) I
D
= 0.5 A.
(3) I
D
= 1 A.
(4) I
D
= 2 A.
(5) I
D
= 4 A.
(6) I
D
= 8 A.
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