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參數資料
| 型號： | PHP21N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOSO標準水平場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | PHP21N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP21N06T
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.18. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
December 1997
7
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP21N06T | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP222 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP21N06LT | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| PHP21N06LT/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHP21N06T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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