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參數資料
| 型號： | PHP21N06LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | 19 A, 55 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | PHP21N06LT |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP21N06T
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 10 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
30
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP21N06T | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP222 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP21N06LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| PHP21N06LT/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHP21N06T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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