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參數資料
| 型號： | PHP23NQ15T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 23 A, 150 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | PHP23NQ15T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP23NQ15T, PHB23NQ15T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 23A
Tj = 25 C
VDD = 30 V
VDD = 120 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
5
10
15
20
25
30
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHB23NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP24N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHP26N10E | PowerMOS transistor |
| PHP27NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD27NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP24 | 制造商:ProTek Devices 功能描述:Diode TVS Single Bi-Dir 34V 7.5KW 2-Pin 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS SGL BI-DIR 34V 7.5KW 2PIN CASE 11 - Bulk |
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| PHP24-3,81 | 功能描述:可插拔接線端子 HorizHd 3.81mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數量:5 線規量程:26-14 節距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風格: 安裝角: 觸點電鍍: |
| PHP24-3.50 | 制造商:ALTECH CORP 功能描述:Conn;TermBlk;PCB;Header;SnglLvl;90DegAngl;Sldr;24Pole;3.5mmPitch;PHP-3.50Series |
| PHP24-5,00 | 功能描述:可插拔接線端子 PCBHEAD 5mm ClEnd RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產品:Plugs 系列:PTS 端接類型:Spring Cage 位置/觸點數量:5 線規量程:26-14 節距:5 mm 電流額定值:10 A 電壓額定值:250 V 安裝風格: 安裝角: 觸點電鍍: |
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