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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHP26N10E |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor |
| 中文描述： | 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHP26N10E |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHP26N10E
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Normalised drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
/V
(BR)DSS 25 C
= f(T
j
)
Fig.15. Source-Drain diode characteristic.
I
F
= f(V
SDS
); parameter T
j
Fig.16. Normalised unclamped inductive energy.
E
AS
% = f(T
j
)
Fig.17. Unclamped inductive test circuit.
E
AS
=
0.5
LI
D
0
10
20
30
QG / nC
VGS / V
12
10
8
6
4
2
0
VDS / V =20
80
BUK455-100
20
40
60
80
Starting Tj ( C)
100
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
EAS, Normalised unclamped inductive energy (%)
-100
-50
0
50
100
150
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
Tj, Junction temperature (C)
Normalised Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS @ Tj
V(BR)DSS @ 25 C
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
V
(
BR
)
DSS
/(
V
(
BR
)
DSS
V
DD
)
0
1
2
BUK455-100A
VSDS / V
IF / A
60
50
40
30
20
10
0
Tj / C = 150
25
February 1997
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP27NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD27NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP2N40E | PowerMOS transistor |
| PHP2N40 | PowerMOS transistor |
| PHP2N50 | PowerMOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP275 | 制造商:PROTEC 制造商全稱:Protek Devices 功能描述:AC POWER BUS VOLTAGE SUPPRESSOR |
| PHP27NQ10T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP27NQ11T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP27NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP28NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
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