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參數資料
| 型號： | PHP27NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商： | PHP27NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP27NQ10T, PHB27NQ10T
PHD27NQ10T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.20. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
August 1999
11
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD27NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP2N40E | PowerMOS transistor |
| PHP2N40 | PowerMOS transistor |
| PHP2N50 | PowerMOS transistor |
| PHP2N60 | PowerMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP27NQ11T | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP27NQ11T,127 | 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP28NQ15T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHP28NQ15T,127 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 150V 28.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP29N08T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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