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參數資料
| 型號： | PHU101NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封裝： | PLASTIC, TO-251, IPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | PHU101NQ03LT |
PHP/PHU101NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Rev. 02 — 25 February 2003
Product data
1.
Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PHP101NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)
PHU101NQ03LT in SOT533 (I-PAK).
2.
Features
I
Low gate charge
I
Low on-state resistance.
3.
Applications
I
Optimized as a control FET in DC to DC converters.
4.
Pinning information
Table 1:
Pin
Pinning - SOT78, SOT533 simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
Symbol
1
gate (g)
SOT78 (TO-220AB)
SOT533 (I-PAK)
2
drain (d)
3
source (s)
mb
mounting base,
connected to drain (d)
MBK106
1 2
mb
3
1
Top view
MBK915
2
3
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP109 | P-channel enhancement mode MOS transistor(P溝道增強型MOS晶體管) |
| PHP11N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管) |
| PHD11N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應管) |
| PHP125N06L | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管標準電平場效應管) |
| PHB125N06L | TrenchMOS transistor Logic level FET(TrenchMOS 晶體管邏輯電平FET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHU101NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| PHU108NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHU108NQ03LT,127 | 功能描述:MOSFET TRENCH<=30 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHU11NQ10T | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N I-PAK |
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