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參數資料
| 型號： | PMBT5088 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN general purpose transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | PMBT5088 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 11
1999 Apr 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PMBT5088
NPN general purpose transistor
book, halfpage
M3D088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBZ5229B | Voltage Regulator Diodes |
| PMBZ5226 | Voltage regulator diodes |
| PMBZ5226B | Voltage regulator diodes |
| PMBZ5227B | Voltage regulator diodes |
| PMBZ5228B | Voltage regulator diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PMBT5088T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23 |
| PMBT5401 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-PNP,SI HI VLTG AMP |
| PMBT5401 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMBT5401,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HV 300mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMBT5401,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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