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參數資料
| 型號： | PMBT5401 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP high-voltage transistor |
| 中文描述： | 300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | PMBT5401 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Apr 09
1999 Apr 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PMBT5401
PNP high-voltage transistor
k, halfpage
M3D088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBTH10 | NPN 1 GHz general purpose switching transistor |
| PMBTH81 | PNP 1 GHz switching transistor |
| PMEM1505PG | PNP transistor/Schottky rectifier module |
| PMK27XP | P-channel extremely low level FET |
| PMLL4148 | High-speed diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PMBT5401 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMBT5401,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HV 300mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMBT5401,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMBT5401T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| PMBT5550 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 140V 0.3A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 140V, 0.3A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 140V, 0.3A, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:60; Operating Temperature Min:-65C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
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