- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382395 > PMMT591 (NXP Semiconductors N.V.) PNP BISS transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PMMT591 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | PNP BISS transistor |
| 中文描述： | PNP型BISS晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | PMMT591 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1999 May 21
1999 Aug 04
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PMMT591A
PNP BISS transistor
book, halfpage
M3D088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMST5401 | PNP high-voltage transistor |
| PMSTA43 | NPN high-voltage transistors |
| PMSTA93 | PNP high-voltage transistors |
| PMWD15UN | Dual N-channel mTrenchMOS?? ultra low level FET |
| PMWD18UN | CAT6 SOL PC GRE PLE 15FT PLENUM SOLID PATCH CORD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PMMT591A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 40V 1A,PMMT591A |
| PMMT591A /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMMT591A,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMMT591A,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PMMT591A215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BISS TRANSISTOR PNP -40V -1A 3-SOT-2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。