型號: | PMN5118US |
廠商: | ERICSSON POWER MODULES AB |
元件分類: | 電源模塊 |
英文描述: | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
封裝: | ROHS COMPLIANT, SMD-14 |
文件頁數: | 1/37頁 |
文件大小: | 1906K |
代理商: | PMN5118US |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PMN5118USR | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
PMN8118UWP | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
PMN8118UWS | 1-OUTPUT 108 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
PMP5818UWSR | 1-OUTPUT 88 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
PQ1CF2 | 1.5 A SWITCHING REGULATOR, 120 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PZFM5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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PMN5118USR | 功能描述:DC/DC轉換器 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 4.5-5.5V 108W RoHS:否 制造商:Murata 產品: 輸出功率: 輸入電壓范圍:3.6 V to 5.5 V 輸入電壓(標稱): 輸出端數量:1 輸出電壓(通道 1):3.3 V 輸出電流(通道 1):600 mA 輸出電壓(通道 2): 輸出電流(通道 2): 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體尺寸: |
P-MN5218 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
PMN52XPX | 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta), 4.46W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):62 毫歐 @ 3.7A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 標準包裝:1 |
PMN55LN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 20V 4.1A SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 4.1A, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N CH, 20V, 4.1A, SOT457; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.75W; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes |
PMN55LN /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |