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參數資料
| 型號： | PMWD16UN |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET |
| 中文描述： | 6000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153 |
| 封裝： | PLASTIC, TSSOP-8 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | PMWD16UN |
1.
Product profile
1.1 General description
Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package
using TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
PMWD16UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Rev. 02 — 24 March 2005
Product data sheet
I
Surface mounting package
I
Very low threshold voltage
I
Low profile
I
Fast switching
I
Portable appliances
I
Battery management
I
PCMCIA cards
I
Load switching
I
V
DS
≤
20 V
I
P
tot
≤
3.1 W
I
I
D
≤
9.9 A
I
R
DSon
≤
19 m
Table 1:
Pin
1
2, 3
4
5
6, 7
8
Pinning
Description
drain1 (D1)
source1 (S1)
gate1 (G1)
gate2 (G2)
source2 (S2)
drain2 (D2)
Simplified outline
Symbol
SOT530-1 (TSSOP8)
1
4
8
5
S
1
D
1
G
1
S
2
msd901
D
2
G
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMWD30UN | Dual uTrenchMOS ultra low level FET |
| PN100A | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| PN100 | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| PN200 | PNP General Purpose Amplifier(PNP通用放大器) |
| PN2222A | NPN General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PMWD16UN /T3 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH DL 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMWD16UN,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMWD16UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
| PMWD18UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
| PMWD19UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
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