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參數資料
| 型號： | PMZ760SN |
| 英文描述： | uTrenchMOS (tm) standard level FET |
| 中文描述： | uTrenchMOS（TM）的標準水平場效應管 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | PMZ760SN |
PMZ760SN
μ
TrenchMOS standard level FET
Rev. 01 — 24 February 2003
Objective data
M3D883
BOTTOM VIEW
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
Product availability:
PMZ760SN in SOT883.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
I
Profile 55% lower than SOT23
I
Low on-state resistance
I
Footprint 90% smaller than SOT23
I
Fast switching.
I
Driver circuits
I
Switching in portable appliances.
I
V
DS
≤
60 V
I
P
tot
≤
<tbd> W
I
I
D
≤
<tbd> A
I
R
DSon
≤
900 m
.
Table 1:
Pin
1
2
3
Pinning - SOT883, simplified outline and symbol
Description
gate (g)
source (s)
drain (d)
Simplified outline
Symbol
SOT883
2
1
3
bottom view
MGX357
s
d
g
MBB076
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN101F | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7 |
| PN102F | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7 |
| PN102 | Silicon planar type |
| PN101 | 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40° to +125°C |
| PN10183EJ01V0PF | 17MHz to 170MHz Resistor Set SOT-23 Oscillator; Package: SOT; No of Pins: 5; Temperature Range: -40° to +125°C |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PMZ760SN T/R | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMZ760SN,315 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMZ760SN315 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 1.22A SOT883 |
| PMZ950UPELYL | 功能描述:20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標準包裝:1 |
| PMZ950UPEYL | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.5A XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006-3 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 標準包裝:1 |
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