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參數資料
| 型號： | PN2222A |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | PN2222A |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2004
P
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
* Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Parameter
Value
60
30
5
600
625
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
Min.
60
30
5
Max.
Units
V
V
V
μ
A
nA
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=50V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=0.1mA
V
CE
=10V, *I
C
=150mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
I
C
=500mA, I
B
=50mA
V
CE
=20V, I
C
=20mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
0.01
10
35
100
300
1
2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
ob
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
V
V
300
MHz
pF
8
PN2222
General Purpose Transistor
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述 |
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