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參數資料
| 型號： | PN3642 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN General Purpose Amplifier |
| 中文描述： | 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | PN3642 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN3643 | NPN General Purpose Amplifier |
| PN3644 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| PN3645 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| PN3644 | Small Signal Transistors |
| PN3645 | Small Signal Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PN3642_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| PN3642_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN3642_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN3643 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN3643_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
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