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參數資料
| 型號： | PN4250 |
| 英文描述： | PNP SILICON AF LOW NOISE AMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 自動對焦進步黨硅低噪聲AMALL信號晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | PN4250 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PN4258 | Small Signal Transistors |
| PN4302 | N-Channel General Purpose Amplifier |
| PN4303 | N-Channel General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| PN4250_D26Z_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN4250_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Level Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN4250_D74Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Level Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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