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參數資料
| 型號： | PN5130/D26Z-J25Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | PN5130/D26Z-J25Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN5130/D11Z-J25Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| PN5130-J25Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| PN5130/D28Z-J22Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| PN5130/D27Z-J22Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| PN5130/D26Z-J22Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PN5131 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| PN5132 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| PN5133 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN LOW NOISE 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN5134 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PN5134_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
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