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參數資料
| 型號： | PN5172 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 25V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | PN5172 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5308A | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 40V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-98 |
| GES5812 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-92 |
| GES5814 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-92 |
| GES5818 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 750MA I(C) | TO-92 |
| GES2218 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PN5179 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| PN5179_D26Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| PN5179_D27Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| PN5179_D75Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| PN5179_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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