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參數資料
| 型號： | PN918 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Small Signal Transistors |
| 中文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | PN918 |
NPN RF Transistor
This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and
multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.
Sourced from Process 43.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN918
350
2.8
125
357
*MMBT918
225
1.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
556
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
15
30
3.0
50
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
MMBT918
C
B
E
SOT-23
Mark: 3B
PN918
CBE
TO-92
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| PN930 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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