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參數資料
| 型號： | PNP3638 |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | PNP3638 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN3638 | PNP SILICON TRANSISTORS |
| PN3638A | PNP SILICON TRANSISTORS |
| PNZ0102 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.6 |
| PNZ0106 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | CAN-4.6 |
| PNZ0107 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 900NM PEAK WAVELENGTH | 30M | CAN-4.6 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PNP3638A | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |
| PNP3WVFTF73-120R | 制造商:Yageo Corporation 功能描述:RES 120 OHM 3W 1% AXIAL |
| PNP3WVJR-73-0R1 | 功能描述:RES WW 0.1 OHM 3W 5% AXIAL RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:PNPV 產品目錄繪圖:CMF Series 標準包裝:1 系列:CMF 電阻（歐姆）:1.47M 功率（瓦特）:0.5W，1/2W 復合體:金屬薄膜 特點:阻燃涂層 溫度系數:±50ppm/°C 容差:±1% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.090" 直徑 x 0.240" L（2.29mm x 6.10mm） 高度:- 端子數:2 包裝:剪切帶 (CT) 產品目錄頁面:2279 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:CMF1.47MHFCT |
| PNP3WVJR-73-0R12 | 功能描述:RES WW 0.12 OHM 3W 5% AXIAL RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:PNPV 產品變化通告:Global Part Number Change 9/Aug/2010 標準包裝:5,000 系列:RN 電阻（歐姆）:44.8k 功率（瓦特）:0.25W，1/4W 復合體:金屬薄膜 特點:阻燃涂層 溫度系數:±50ppm/°C 容差:±0.25% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.093" 直徑 x 0.250" L（2.35mm x 6.35mm） 高度:- 端子數:2 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:RN 1/4 T2 44.8K 0.25% RRN1/4T244.8K0.25%RRN1/4T244.8K0.25%R-NDRN1/4T244.8KCRRN1/4T244.8KCR-ND |
| PNP3WVJR-73-0R15 | 功能描述:RES WW 0.15 OHM 3W 5% AXIAL RoHS:是 類別:電阻器 >> 通孔電阻器 系列:PNPV 產品變化通告:Global Part Number Change 9/Aug/2010 標準包裝:5,000 系列:RN 電阻（歐姆）:44.8k 功率（瓦特）:0.25W，1/4W 復合體:金屬薄膜 特點:阻燃涂層 溫度系數:±50ppm/°C 容差:±0.25% 封裝/外殼:軸向 尺寸/尺寸:0.093" 直徑 x 0.250" L（2.35mm x 6.35mm） 高度:- 端子數:2 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:RN 1/4 T2 44.8K 0.25% RRN1/4T244.8K0.25%RRN1/4T244.8K0.25%R-NDRN1/4T244.8KCRRN1/4T244.8KCR-ND |
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