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參數資料
| 型號： | PNZ102(PN102) |
| 英文描述： | PNZ102 (PN102) - Silicon NPN Phototransistor |
| 中文描述： | PNZ102（PN102） -硅npn型光電晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 343K |
| 代理商： | PNZ102(PN102) |
1
Phototransistors
PNZ107F, PNZ108F
(PN107F, PN108F)
Silicon NPN Phototransistors
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
V
CEO
V
CBO*
V
ECO
V
EBO*
I
C
P
C
T
opr
T
stg
Ratings
20
30
3
5
30
150
–25 to +85
–30 to +100
Unit
V
V
V
V
mA
mW
C
C
Collector to emitter voltage
Collector to base voltage
Emitter to collector voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
PNZ108F only
Features
Flat window design which is suited to optical systems
Wide directional sensitivity for easy use
Fast response : t
r
= 8
μ
s (typ.)
Signal mixing capability using base pin (PNZ108F)
TO-18 standard type package
For optical control systems
1: Emitter
2: Collector
Unit : mm
4.6
±
0.15
Glass window
2.54
±
0.25
10
±
02
10
±
015
5.75 max.
2-0.45
±
0.05
4
±
0
1
4
±
3
1
2
PNZ107F
1: Emitter
2: Base
3: Collector
Unit : mm
4.6
±
0.15
Glass window
2.54
±
0.25
10
±
02
10
±
015
5.75 max.
3-0.45
±
0.05
4
±
0
1
4
±
3
1
3
2
PNZ108F
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PNZ106(PN106) | PNZ106 (PN106) - Silicon NPN Phototransistor |
| PNZ107(PN107) | Opto-Electronic Device - Photo Detectors - Phototransistors |
| PNZ107F(PN107F) | Opto-Electronic Device - Photo Detectors - Phototransistors |
| PNZ108(PN108) | Opto-Electronic Device - Photo Detectors - Phototransistors |
| PNZ108CL(PN108CL) | 光デバイス － 受光素子 － フォトトランジスタ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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