產(chǎn)品介紹；
數(shù)據(jù)列表 IRL3705Z(S,L)PbF
產(chǎn)品相片 TO-263
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN 組件/產(chǎn)地 Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
Alternate Assembly Site 11/Nov/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝 800
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 HEXFET?
包裝 帶卷 （TR）
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss) 55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時） 75A （Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 8 毫歐 @ 52A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 60nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 2880pF @ 25V
功率 - 最大值 130W
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

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