H5TQ2G63DFR描述
盡管所有地址和控制輸入的邊緣上升的CK(CK)的邊緣下降,數據,數據用閃光燈和面具寫入數據輸入采樣在上升和下降的邊緣。數據路徑內部流水線和8位預取的實現非常高的帶寬。
H5TQ2G63DFR特性
?VDD = VDDQ = 1.5 v + / - 0.075 v
?完全微分時鐘輸入(CK、CK)操作
?微分數據(dq,dq)
?在芯片DLL對齊DQ、DQ和DQ與CK過渡轉型
?DM面具寫數據輸入的數據選通脈沖的上升和下降的邊緣
?所有地址和控制輸入,除了數據,數據用閃光燈和數據掩蓋了鎖定在時鐘的上升的邊緣
?可編程CAS延遲5、6、7、8、9、10、11、12、13和14支持
?可編程添加劑延遲0、CL-1 CL-2支持
?可編程脈沖時間4/8咬順序和交錯模式
?平均刷新周期(Tcase 0攝氏度~ 95攝氏度)
- μs at - 7.8 0oC ~ 85 oC
- 3.9μs在85度~ 95度
商業溫度(0攝氏度~ 85攝氏度)
工業溫度(-40度~ 95度)
?汽車自我更新的支持
?JEDEC標準78球FBGA(x8 -),96球FBGA(x16)
?驅動力量選擇電子病歷
?動態模終止支持
?異步復位銷支持
?ZQ校準支持
?TDQS(終止數據選通)支持(×8只)
?寫Levelization支持
?8位預取
IDD和IDDQ規范參數
IDD和IDDQ測試條件和測試條件
?IDD電流(例如IDD0、IDD1 IDD2N,IDD2NT,IDD2P0,IDD2P1,IDD2Q,IDD3N,IDD3P,IDD4R,IDD4W,IDD5B,IDD6,IDD6ET,IDD6TC和IDD7)測量是時間上的電流與所有VDD球DDR3 SDRAM測試下綁在一起。不包括任何IDDQ當前IDD。
?IDDQ電流(例如IDDQ2NT和IDDQ4R)測量上的電流與所有VDDQ球DDR3 SDRAM測試下綁在一起。不包括任何IDD當前IDDQ壞蛋——租金。
注意:
IDDQ值不能直接用來計算IO DDR3 SDRAM的力量。他們可以用來支持相關的模擬輸入輸出功率實際輸入輸出功率如圖2中列出。分別在DRAM模塊應用程序中,IDDQ無法衡量自VDD VDDQ使用模塊PCB merged-power層之一。
對于IDD和IDDQ測試,以下定義適用:
?“0”和“低”的定義是VIN < = V ILAC(max)。
?“1”和“高”被定義為VIN > = V IHAC(max)。
?“MID_LEVEL”被定義為輸入VREF = VDD / 2。
?時間用于IDD和IDDQ Measurement-Loop模式是表1中提供。
?基本IDD和IDDQ測試條件如表2中所描述的。
?詳細IDD和IDDQ Measurement-Loop模式是描述在表3表10。
?IDD測量正確初始化DDR3 SDRAM后完成。這包括但不僅lim -報道設置
?注意:IDD和IDDQ Measurement-Loop模式需要執行至少一個實際IDD或IDDQ測試開始時間。
?定義D = { CS,RAS,中科院,我們}:= {高、低、低、低}
?定義D = { CS,RAS,中科院,我們}:= {高,高,高,高}
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