新到H40T120(IHW40N120T)IGBT單管，價格優惠！
H40T120 基本參數:
型號：IHW40N120T(產品印字H40T120)
電壓：1200V
封裝：TO-247
阻尼二極管正向壓降：2.26V  
通態功耗：71.6 W
標稱功率：270W
英飛凌的H40T120 單管可用于低成本的變頻器方案,成本低,性能穩定,規格40A 1200V
H40T120管的飽和壓降：Vce(sat)。如:（H40T120在40A條件下測試 Vce(sat) ≤1.8V）。
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深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話：0755-83293082 阮先生

IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。 
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的H40T120，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+ 緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT 的某些應用范圍。 
IGBT 的轉移特性是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 之間的關系曲線。它與MOSFET 的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th) 時，IGBT 處于關斷狀態。在H40T120 導通后的大部分漏極電流范圍內， Id 與Ugs呈線性關系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。 
IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。H40T120 處于導通態時，由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。