供應BSM50GB120DN2模塊
型號:BSM50GB120DN2
廠家:歐佩克(EUPEC)
封裝:模塊
規格:電流 50A
電壓:1200V
單元:2
封裝:34mm
應用:變頻器,焊機,電源等
深圳市亨力拓電子有限公司貨源電話:0755-83293082 阮先生
BSM50GB120DN2是西門子2單元、50A、1200V 的 DLC系列IGBT模塊。主要是強電流、高壓應用,用于變頻器、UPS電源領域,西門子電力半導體器件廣泛應用于發電、輸配電、電氣傳動、牽引、電力系統,家用電器、新能源、汽車電子等電力電子設備中。
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工藝,600V“HS”系列硬開關頻率高達100KHz, 1200V“SKW”系列硬開關頻率可達40KHz。溫升低,有較大的血崩耐量。第三代IGBT,采用溝槽柵+電場終止層(Fieldstop)技術,具有較低的飽和壓降,低達1.50V 。
Maximum Ratings
Parameter |
Symbol |
Values |
Unit |
Collector-emitter voltage |
VCE |
1200 |
V |
Collector-gate voltage
RGE = 20 kW |
VCGR |
1200 | |
Gate-emitter voltage |
VGE |
± 20 | |
DC collector current
TC = 25 °C TC = 80 °C |
IC |
78
50 |
A |
Pulsed collector current, tp = 1 ms TC = 25 °C TC = 80 °C |
ICpuls |
156
100 | |
Power dissipation per IGBT
TC = 25 °C |
Ptot |
400 |
W |
Chip temperature |
Tj |
+ 150 |
°C |
Storage temperature |
Tstg |
-40 ... + 125 |
Thermal resistance, chip case |
RthJC |
£ 0.3 |
K/W |
Diode thermal resistance, chip case |
RthJCD |
£ 0.6 | |
Insulation test voltage, t = 1min. |
Vis |
2500 |
Vac |
Creepage distance |
- |
20 |
mm |
Clearance |
- |
11 | |
DIN humidity category, DIN 40 040 |
- |
F |
sec |
IEC climatIC category, DIN IEC 68-1 |
- |
40 / 125 / 56 |
在這張產品數據表包含的數據完全供技術上訓練的職員使用。 您和您的科技部將必須評估IGBT模塊的適合的應用的和產品數據的完整性關于這樣應用。