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供應英飛凌第三代 G30T60 G50T60 G75T60 高速IGBT參數說明

  • 品牌:

    英飛凌第三代

  • 封裝材料:

    其他

  • 型號:

    英飛凌第三代

  • 類別:

    其他

  • 結構:

    其他

  • 封裝形式:

    英飛凌第三代

  • 材料:

    其他

  • 極性:

    其他

  • 電流容量:

    大功率

  • 頻率類型:

    其他

發布詢價信息

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產品信息

英飛凌第三代 G30T60 G50T60 G75T60 IGW30N60T IGW50N60T
IGW75N60T 600V低飽和壓降型IGBT優質高速單管 參數說明
 
品牌:英飛凌 INFINEON
型號:G30T60 G50T60 G75T60 IGW30N60T IGW50N60T IGW75N60T
 
第三代IGBT單管 特點:
◆TC=25℃ VCE(sat)=1.5V
◆最大工作結溫Tjmax≤175℃
◆內置反并聯軟、快恢復(Emcon)高效二極管
◆采用溝槽柵+電場終止層(Field stop)IGBT工藝技術
◆可靠性高,高溫性能穩定,特性優異,具有最優的性價比
◆硬開關頻率:fK≤20KHz
◆符合RoHS 標準
 
參數說明:
 
 
Package
VCE (max)
IC(max) @ 25°
IC(max) @ 100°
Switching Frequency
PDF
IGW30N60T
TO-247
600
60 A
30 A
20kHz
下載
IGW50N60T
TO-247
600 V
100
50 A
20kHz
下載
IGW75N60T
TO-247
600 V
150 A
75 A
20kHz
下載
英飛凌全新的600V第三代高速IGBT單管系列經過優化,適用于硬開關和軟開關拓撲。該系列樹立了IGBT行業開關損耗新標桿,建議應用于開關頻率在20kHz以上的拓撲。
極短的拖尾電流和低關斷損耗(比最接近的競爭產品低25%)是這種新產品系列的主要特性。利用該系列的器件設計產品,最高可使能效提高15%。
    該系列采用全球知名的TRENCHSTOP TM 技術,不僅具備很低的開關損耗,還擁有極低的通態損耗。          
TRENCHSTOP TM 技術特點是本身具備極低的集電極-發射極飽和電壓
 
 

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公司介紹

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